2Sb966 To-247 8A 120V 80W Pnp Transıstor

Temel Teknik Özellikler

• Tür & Polarite: PNP bipolar güç transistor 

• Paket / Kılıf: TO-247 / TO-3P (metal / güç tipi paket) 

• Maksimum Kolektör-Emiter / Kolektör-Baz Gerilimi: |V_CE|, |V_CB| ≤ 120 V 

• Maksimum Sürekli Kolektör Akımı: |I_C max| = 8 A 

• Güç Dissipsiyonu (P_C): 80 W (soğutucu / uygun ısı yönetimi ile) 

• Emitter-Baz Gerilimi: |V_EB max| ≈ 5–6 V 

• DC Akım Kazancı (h_FE): Min ~ 60, tipik 60–320 aralığında (yük ve koşullara bağlı)

• Doyma Gerilimi (V_CE(sat)): Örneğin datasheet’te —5 A yükte yaklaşık –0,65 V olarak belirtilmiş. 

• Junction (Çalışma) Sıcaklığı Maks: Tj ≈ 175 °C 

• Uygun Kullanım: Güç amplifikatörleri, low-frequency (ses) güç devreleri, genel purpose güç anahtarlama ve güç çıkış devreleri. 

Minimum sipariş tutarı 150,00TL'dir.1500,00TL üzeri alışverişlerde kargo ücreti alınmamaktadır.
Alıcı ödemeli kargolar , kargo firmasının kendi verdiği tarifeden gitmektedir.Tüm sorumluluk alıcıya aittir.
Stokta kalmayan ürünleri [email protected] mail adresimizden sorabilirsiniz.
Ürün hakkında bilgi almak için 0212 252 62 92 no'lu telefonumuzdan yada 0544 614 15 37 no'lu whatsap hattımızdan da ulaşabilirisiniz.

Temel Teknik Özellikler

• Tür & Polarite: PNP bipolar güç transistor 

• Paket / Kılıf: TO-247 / TO-3P (metal / güç tipi paket) 

• Maksimum Kolektör-Emiter / Kolektör-Baz Gerilimi: |V_CE|, |V_CB| ≤ 120 V 

• Maksimum Sürekli Kolektör Akımı: |I_C max| = 8 A 

• Güç Dissipsiyonu (P_C): 80 W (soğutucu / uygun ısı yönetimi ile) 

• Emitter-Baz Gerilimi: |V_EB max| ≈ 5–6 V 

• DC Akım Kazancı (h_FE): Min ~ 60, tipik 60–320 aralığında (yük ve koşullara bağlı)

• Doyma Gerilimi (V_CE(sat)): Örneğin datasheet’te —5 A yükte yaklaşık –0,65 V olarak belirtilmiş. 

• Junction (Çalışma) Sıcaklığı Maks: Tj ≈ 175 °C 

• Uygun Kullanım: Güç amplifikatörleri, low-frequency (ses) güç devreleri, genel purpose güç anahtarlama ve güç çıkış devreleri.