Buz311 To-218 2.5A 1000V N-Channel Sıpmos Power Mosfet Transıstor

 Temel Özellikler: Drenaj-Kaynak Voltajı (Vds): 1000V BUZ311, yüksek 1000V'luk bir drenaj-kaynak voltajını idare edecek şekilde tasarlanmıştır ve bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için uygun hale getirir. Drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki büyük voltaj farklarına dayanabilir ve bu da onu güç dönüşümü ve diğer yüksek voltajlı sistemler için ideal hale getirir. Sürekli Drenaj Akımı (Id): 2,5A Bu MOSFET, 2,5A'lık sürekli bir drenaj akımı taşıyabilir. Bu, ultra yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış diğer bazı MOSFET'ler kadar yüksek olmasa da, birçok güç devresi için yine de önemlidir. Açık Direnç (Rds(on)): Tipik olarak 0,3Ω ila 0,5Ω BUZ311, düşük voltajlı, yüksek akımlı uygulamalarda kullanılan MOSFET'lere kıyasla nispeten daha yüksek bir açık dirence sahiptir, ancak yine de yüksek voltajlı güç devrelerinde oldukça verimlidir. Direnç açıklığı güç kaybına ve ısı dağılımına katkıda bulunur, bu nedenle dikkatli termal yönetim önemlidir. Güç Dağılımı (Pd): 150W BUZ311, ısı üretiminin endişe verici olduğu yüksek güçlü uygulamalar için kritik olan 150W'a kadar güç dağıtabilir. Diğer yüksek güçlü MOSFET'lerde olduğu gibi, uygun ısı emici ve termal yönetim gereklidir. Paket Türü: TO-218 TO-218 paketi, genellikle yüksek güçlü MOSFET'ler için kullanılan bir delikli pakettir. Etkili termal dağılım sağlar, ancak belirli uygulamaya ve güç dağılımına bağlı olarak ek soğutma (ısı emiciler gibi) gerekebilir. SIPMOS Teknolojisi: BUZ311, yüksek voltajlı uygulamalarda yüksek verimli anahtarlama ve düşük kayıplı çalışma için optimize edilmiş SIPMOS teknolojisini kullanır.

Minimum sipariş tutarı 150,00TL'dir.1500,00TL üzeri alışverişlerde kargo ücreti alınmamaktadır.
Alıcı ödemeli kargolar , kargo firmasının kendi verdiği tarifeden gitmektedir.Tüm sorumluluk alıcıya aittir.
Stokta kalmayan ürünleri [email protected] mail adresimizden sorabilirsiniz.
Ürün hakkında bilgi almak için 0212 252 62 92 no'lu telefonumuzdan yada 0544 614 15 37 no'lu whatsap hattımızdan da ulaşabilirisiniz.

Temel Özellikler: Drenaj-Kaynak Voltajı (Vds): 1000V BUZ311, yüksek 1000V'luk bir drenaj-kaynak voltajını idare edecek şekilde tasarlanmıştır ve bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için uygun hale getirir. Drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki büyük voltaj farklarına dayanabilir ve bu da onu güç dönüşümü ve diğer yüksek voltajlı sistemler için ideal hale getirir. Sürekli Drenaj Akımı (Id): 2,5A Bu MOSFET, 2,5A'lık sürekli bir drenaj akımı taşıyabilir. Bu, ultra yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış diğer bazı MOSFET'ler kadar yüksek olmasa da, birçok güç devresi için yine de önemlidir. Açık Direnç (Rds(on)): Tipik olarak 0,3Ω ila 0,5Ω BUZ311, düşük voltajlı, yüksek akımlı uygulamalarda kullanılan MOSFET'lere kıyasla nispeten daha yüksek bir açık dirence sahiptir, ancak yine de yüksek voltajlı güç devrelerinde oldukça verimlidir. Direnç açıklığı güç kaybına ve ısı dağılımına katkıda bulunur, bu nedenle dikkatli termal yönetim önemlidir. Güç Dağılımı (Pd): 150W BUZ311, ısı üretiminin endişe verici olduğu yüksek güçlü uygulamalar için kritik olan 150W'a kadar güç dağıtabilir. Diğer yüksek güçlü MOSFET'lerde olduğu gibi, uygun ısı emici ve termal yönetim gereklidir. Paket Türü: TO-218 TO-218 paketi, genellikle yüksek güçlü MOSFET'ler için kullanılan bir delikli pakettir. Etkili termal dağılım sağlar, ancak belirli uygulamaya ve güç dağılımına bağlı olarak ek soğutma (ısı emiciler gibi) gerekebilir. SIPMOS Teknolojisi: BUZ311, yüksek voltajlı uygulamalarda yüksek verimli anahtarlama ve düşük kayıplı çalışma için optimize edilmiş SIPMOS teknolojisini kullanır.