Buz312 To-218 6A 1000V N-Channel Sıpmos Power Mosfet Transıstor

 Temel Özellikler: Drenaj-Kaynak Voltajı (Vds): 1000V BUZ312, 1000V'luk bir drenaj-kaynak voltajına dayanabilir; bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için ideal hale getirir. Bu yüksek voltaj derecesi, MOSFET'in drenaj ve kaynak arasında önemli voltaj farklılıklarının bulunduğu güç devrelerinde güvenli bir şekilde çalışmasını sağlar. Sürekli Drenaj Akımı (Id): 6A BUZ312, yüksek voltajlı bir MOSFET için orta düzeyde olan 6A'lık sürekli bir drenaj akımına sahiptir. Bu akım derecesi, anahtarlama sırasında makul miktarda gücü idare etmesini sağlayarak orta ila yüksek güç uygulamaları için uygun hale getirir. Açık Direnç (Rds(on)): Tipik olarak 0,5Ω ila 1,0Ω BUZ312, düşük voltajlı, yüksek akımlı uygulamalar için tasarlanmış MOSFET'lere kıyasla nispeten yüksek bir açık dirence sahiptir; bu da çalışma sırasında güç kaybına katkıda bulunur. Ancak bu, yüksek voltajlı MOSFET'ler için tipiktir ve açık direnç birçok uygulama için hala yönetilebilirdir. Daha yüksek Rds(açık) daha fazla ısı dağılımına yol açar, bu nedenle uygun termal yönetim önemlidir. Güç Dağılımı (Pd): 150W BUZ312, 150W'a kadar güç dağıtabilir ve bu da onu yüksek voltajlı güç devrelerinde çalışma sırasında oluşan ısıyı idare etmek için uygun hale getirir. Diğer yüksek güçlü MOSFET'ler gibi, MOSFET'in güvenilirliğini korumak için soğutucular gibi verimli soğutma teknikleri gereklidir. Paket Türü: TO-218 TO-218 paketi, genellikle yüksek güçlü MOSFET'ler için kullanılan bir delikli pakettir. Verimli ısı dağılımına izin verir ancak özellikle MOSFET maksimum değerlerine yakın çalıştığında yine de ek termal yönetim gerektirebilir. SIPMOS Teknolojisi: BUZ312, yüksek voltajlı güç uygulamalarında yüksek verimli anahtarlama ve azaltılmış kayıplar için tasarlanmış SIPMOS teknolojisini kullanır.

Minimum sipariş tutarı 150,00TL'dir.1500,00TL üzeri alışverişlerde kargo ücreti alınmamaktadır.
Alıcı ödemeli kargolar , kargo firmasının kendi verdiği tarifeden gitmektedir.Tüm sorumluluk alıcıya aittir.
Stokta kalmayan ürünleri [email protected] mail adresimizden sorabilirsiniz.
Ürün hakkında bilgi almak için 0212 252 62 92 no'lu telefonumuzdan yada 0544 614 15 37 no'lu whatsap hattımızdan da ulaşabilirisiniz.

 Temel Özellikler: Drenaj-Kaynak Voltajı (Vds): 1000V BUZ312, 1000V'luk bir drenaj-kaynak voltajına dayanabilir; bu da onu yüksek voltajlı uygulamalar için ideal hale getirir. Bu yüksek voltaj derecesi, MOSFET'in drenaj ve kaynak arasında önemli voltaj farklılıklarının bulunduğu güç devrelerinde güvenli bir şekilde çalışmasını sağlar. Sürekli Drenaj Akımı (Id): 6A BUZ312, yüksek voltajlı bir MOSFET için orta düzeyde olan 6A'lık sürekli bir drenaj akımına sahiptir. Bu akım derecesi, anahtarlama sırasında makul miktarda gücü idare etmesini sağlayarak orta ila yüksek güç uygulamaları için uygun hale getirir. Açık Direnç (Rds(on)): Tipik olarak 0,5Ω ila 1,0Ω BUZ312, düşük voltajlı, yüksek akımlı uygulamalar için tasarlanmış MOSFET'lere kıyasla nispeten yüksek bir açık dirence sahiptir; bu da çalışma sırasında güç kaybına katkıda bulunur. Ancak bu, yüksek voltajlı MOSFET'ler için tipiktir ve açık direnç birçok uygulama için hala yönetilebilirdir. Daha yüksek Rds(açık) daha fazla ısı dağılımına yol açar, bu nedenle uygun termal yönetim önemlidir. Güç Dağılımı (Pd): 150W BUZ312, 150W'a kadar güç dağıtabilir ve bu da onu yüksek voltajlı güç devrelerinde çalışma sırasında oluşan ısıyı idare etmek için uygun hale getirir. Diğer yüksek güçlü MOSFET'ler gibi, MOSFET'in güvenilirliğini korumak için soğutucular gibi verimli soğutma teknikleri gereklidir. Paket Türü: TO-218 TO-218 paketi, genellikle yüksek güçlü MOSFET'ler için kullanılan bir delikli pakettir. Verimli ısı dağılımına izin verir ancak özellikle MOSFET maksimum değerlerine yakın çalıştığında yine de ek termal yönetim gerektirebilir. SIPMOS Teknolojisi: BUZ312, yüksek voltajlı güç uygulamalarında yüksek verimli anahtarlama ve azaltılmış kayıplar için tasarlanmış SIPMOS teknolojisini kullanır.